阻抗失配會(huì)引起信號(hào)反射，這是高頻測(cè)試系統(tǒng)所不希望出現(xiàn)的現(xiàn)象。對(duì)于交流信號(hào)而言，材料之間介電常數(shù)的任何變化都會(huì)導(dǎo)致特性阻抗的變化和阻抗失配問(wèn)題。例如，當(dāng)某個(gè)正弦波沿著某條40.9-W傳輸線和50-W負(fù)載傳輸時(shí)，它的部分能量將會(huì)反射回傳輸線上。掌握信號(hào)反射發(fā)生的原理有助于我們改進(jìn)測(cè)試系統(tǒng)的配置和測(cè)量效果，這對(duì)于高頻測(cè)試尤其重要。
以應(yīng)對(duì)面臨的開(kāi)關(guān)技術(shù)挑戰(zhàn)。其中包括為已有的7GHz開(kāi)關(guān)系列增加了一種DPDT(雙刀雙擲)和SP4T開(kāi)關(guān)，以及一種最新的高性能26.5GHz SPDT開(kāi)關(guān)。DPDT開(kāi)關(guān)在一個(gè)封裝內(nèi)集成了兩個(gè)獨(dú)立的SPDT開(kāi)關(guān)，減小了整個(gè)開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的尺寸、成本和復(fù)雜性。通過(guò)在柵線內(nèi)(在器件封裝內(nèi))集成薄膜電阻進(jìn)一步壓縮了器件尺寸，尤其有利于構(gòu)建內(nèi)含數(shù)百只開(kāi)關(guān)的ATE應(yīng)用(例如DUT負(fù)載板)。所有三種開(kāi)關(guān)都提供3.8×5.1mm的mini-BGA芯片級(jí)封裝，預(yù)植了Pb/Sn和兼容RoHS的焊球。
PIN管在正反向低頻信號(hào)作用下，對(duì)微波信號(hào)有開(kāi)關(guān)作用。正向偏置時(shí)對(duì)微波信號(hào)的衰減很?。?.5dB），反向偏置時(shí)對(duì)微波信號(hào)的衰減很大（25dB）。BJT和FET開(kāi)關(guān)的原理與低頻三極管開(kāi)關(guān)的原理相同，基極（柵極）的控制信號(hào)決定集電極（漏極）和發(fā)射極（源極）的通斷。放大器有增益，反向隔離大，特別適合于MMIC開(kāi)關(guān)。MEMS微機(jī)械電路是近年發(fā)展起來(lái)的一種新型器件，也可以用作開(kāi)關(guān)器件。開(kāi)關(guān)器件與微波傳輸線的結(jié)合就構(gòu)成微波開(kāi)關(guān)組件。各種開(kāi)關(guān)器件與微波電路的連接形式的等效電路相同。開(kāi)關(guān)按照接口數(shù)量定義，代號(hào)為#P#T，如單刀單擲（SPST）、單刀雙擲（SPDT）、雙刀雙擲（DPDT）、單刀六擲（SP6T）等。
